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量具检验南平-计量单位
发布用户:styqjcgs
发布时间:2024-05-09 00:25:26
量具检验南平-计量单位量具检验南平-计量单位
世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究
世通仪器关于高温微压力传感器校准实的研究
在航天领域,常常需要在恶劣环境下实时测量环境的各种相关参量,其中就包括微小压力测量。由于测试工作处于高温、高热流、强电磁干扰、剧烈振动等恶劣的条件下,并且待测压力微小,此外还要求小型化、低功耗,故而传统的硅微压力传感器已难以满足测试需求。
ZLG致远电子LM4TULoRa模块到铁鞋终端当中,配套LoRaNET2网关可快速在车站搭建起一张无线网络。车站智能铁鞋组网示意图ZLG致远电子的LM4TULoRa模块+GL1278N网关解决方案凭借着超低功耗、信号覆盖范围广、带组网协议、支持客户二次发等优点,完解决了铁鞋智能化的需求。LM4TU模块-模块板载MKL26Z128VFT4MCU,M+内核,支持二次发,可为用户省一颗MCU;-丰富接口资源:2路16位ADC,2路IIC,2路GPIO,2路PWM,2路UART,1路SPI等等;-内置LoRaNET2组网协议,API接口供用户二次发调用,方便;-基于AmetaL二次发,丰富的例程以及各传感器demo,帮助用户快速完成产品发。
相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等,因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*,且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段,使其能够适应高温环境,即能*终满足测试的要求。
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相比之下光纤压力传感器有着无可比拟的优势:测量精度高、抗电磁干扰能力良好、绝缘性能好、性能稳定等,因此光纤压力传感器*接近测试需求。F-P光纤压力传感器更是以极高的测量灵敏度和精度、成熟的微压测量技术成为*,且只需在探头结构上辅以耐高温技术手段,使其能够适应高温环境,即能*终满足测试的要求。
高温微压力传感器基于F-P干涉敏感原理,使用耐高温材料外壳和支撑架,部件连接采用固体焊接等耐高温工艺,实现了在无引压管情况下对800℃高温介质微小压力的直接测量,并且通过对性敏感组件等易损件采取专门的限位、加固措施,提高了抗冲击、振动能力。
量具检验南平-计量单位
为了将误差降低到,电阻模块应当有一个小的热电动势,并且使用误差较低的电流进行测量,以10mA的电流重复上述测量时可将误差降低到0.1%。使用四线制测量系统没有帮助,尽管它消除了引线电阻的影响。或者,如果热电动势的数据没有明显的时变时,你可以通过翻转DMM的极性并取两个读数的平均值来测量它们的影响。这样可以确认真正的阻值是多少,在应用电路中可能不会这样,但是用户应该了解。一些DMM在测量电阻时具有测量电压偏移的功能,这个可以用来补偿电阻测量,而不必逆转电流极性。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境,我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统,通过高低温真空试验装置和人机软件的结合,为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。
量具检验南平-计量单位
为了将误差降低到,电阻模块应当有一个小的热电动势,并且使用误差较低的电流进行测量,以10mA的电流重复上述测量时可将误差降低到0.1%。使用四线制测量系统没有帮助,尽管它消除了引线电阻的影响。或者,如果热电动势的数据没有明显的时变时,你可以通过翻转DMM的极性并取两个读数的平均值来测量它们的影响。这样可以确认真正的阻值是多少,在应用电路中可能不会这样,但是用户应该了解。一些DMM在测量电阻时具有测量电压偏移的功能,这个可以用来补偿电阻测量,而不必逆转电流极性。
为了在地面实验室模拟传感器的实际测量环境,我们设计了一种适用于高温微压力传感器的仪器校准实验系统,通过高低温真空试验装置和人机软件的结合,为仪器校准了一个稳定可靠、安全便捷的实验。
1、传感器测量原理
(1) 微压力测量原理
高温微压力传感器采用的是F-P干涉敏感原理,根据Fabry-Perot共振效应,F-P共振腔反射光的波长变化与两反射面之间的距离呈函数关系。如图1所示,为传感器原理示意图,感压反射面及其支撑膜片和静止反射面就构成了一个完整的F-P共振式压力敏感结构。根据薄膜性形变原理,压力敏感膜片在外界压力的作用下发生形变,从而改变F-P腔腔长,引起干涉谱变化,通过测量干涉光谱,即可得到作用在压力敏感膜上的压力变化,从而达到测量压力的目的。该结构的特点是灵敏度极高,可感受两个镜面之间纳米级的位移变化,可满足500 Pa微小压力的测量需要。
量具检验南平-计量单位
在OCP(OPP)测试模式下,电子负载按照始值拉载工作,每隔一定时间电流(功率)按照步进值递增,同时检测负载输入电压,判断OCP(OPP)是否发生。如果负载输入电压高于触发电压,表明OCP(OPP)未发生,则继续电流(功率)步进操作,直到运行到结束电流(功率)为止。如果负载输入电压低于触发电压,表明OCP(OPP)已经发生。然后检查当前的电流值是否在设定的电流(功率)的高低规格内,若在范围内就显示GO(测试通过),否则显示NG(测试未通过)。
在OCP(OPP)测试模式下,电子负载按照始值拉载工作,每隔一定时间电流(功率)按照步进值递增,同时检测负载输入电压,判断OCP(OPP)是否发生。如果负载输入电压高于触发电压,表明OCP(OPP)未发生,则继续电流(功率)步进操作,直到运行到结束电流(功率)为止。如果负载输入电压低于触发电压,表明OCP(OPP)已经发生。然后检查当前的电流值是否在设定的电流(功率)的高低规格内,若在范围内就显示GO(测试通过),否则显示NG(测试未通过)。
(2) 传感器的仪器校准原理
在传感器探头确定的情况下,参数k1,k的值可以通过公式直接计算求得,而温度敏感系数k2以及补偿修正常数C则需要通过校准实验才能确定。
将被校传感器与压力、温度标准具置于同一载荷环境,通过标准具得到压力、温度的标准量,通过解调模块得到传感器的输出值。将标准输人量与被校传感器的输出值绘制成传感器的校准曲线,再根据校准数据采用*小二乘法确定传感器的工作直线,用工作直线反映传感器的输人和输出之间的关系,从而确定k2及C的取值。通过校准曲线与工作直线的比较,可以计算得到被校传感器的静态基本性能指标。
量具检验南平-计量单位LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
量具检验南平-计量单位LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
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